| 主权项 |
一种半导体记忆体装置，包含：第一布线；第二布线；第三布线；第四布线；第五布线；及记忆体单元，包含：第一记忆格；第二记忆格；第三记忆格；及第四记忆格，其中该第一至第四布线彼此平行，其中该第一布线及该第五布线彼此正交，其中该第一记忆格包含第一电晶体、第二电晶体及第一电容器，其中该第二记忆格包含第三电晶体、第四电晶体及第二电容器，其中该第三记忆格包含第五电晶体、第六电晶体及第三电容器，其中该第四记忆格包含第七电晶体、第八电晶体及第四电容器，其中该第一电晶体之汲极电连接该第二电晶体之闸极及该第一电容器之一电极，
其中该第三电晶体之汲极电连接该第四电晶体之闸极及该第二电容器之一电极，其中该第五电晶体之汲极电连接该第六电晶体之闸极及该第三电容器之一电极，其中该第七电晶体之汲极电连接该第八电晶体之闸极及该第四电容器之一电极，其中该第五电晶体之闸极电连接该第一布线，其中该第一电晶体之闸极及该第三电容器之另一电极电连接该第二布线，其中该第一电容器之另一电极及该第七电晶体之闸极电连接该第三布线，其中该第三电晶体之闸极及该第四电容器之另一电极电连接该第四布线，其中该第一电晶体之该汲极电连接该第三电晶体之源极，其中该第二电晶体之汲极电连接该第四电晶体之源极，其中该第五电晶体之该汲极电连接该第七电晶体之源极，其中该第六电晶体之汲极电连接该第八电晶体之源极，其中该第一电晶体、该第三电晶体、该第五电晶体及该第七电晶体具有相同导电类型，其中该第二电晶体、该第四电晶体、该第六电晶体及
该第八电晶体具有相同导电类型，及其中该第一电晶体之该导电类型与该第二电晶体之该导电类型不同。
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