| 主权项 |
一种半导体装置，包含：电晶体，该电晶体包含：第一闸极电极，在基板之上；第一绝缘层，在该第一闸极电极之上；氧化物半导体层，在该第一绝缘层之上，该氧化物半导体层包含第一区域和第二区域；源极电极及汲极电极，在该氧化物半导体层之上；第二绝缘层，覆盖该源极电极及该汲极电极；以及第二闸极电极，在该第二绝缘层之上；以及端子，该端子包含：第一导电层；第三绝缘层，在该第一导电层之上，该第三绝缘层包括一开口；第二导电层，在该第三绝缘层之上，该第二导电层透过该开口与该第一导电层接触；以及透明导电层，在该第二导电层上且与该第二导电层接触，其中该第一闸极电极和该第一导电层系形成在相同层中，其中该源极电极及该汲极电极和该第二导电层系形成在相同层中，
其中该第二区域与该源极电极或该汲极电极重叠，其中该第一区域之厚度系比该第二区域之厚度更小，且其中该第二绝缘层系与该第一区域接触。
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