| 发明名称 | 避免晶圆边缘剥落缺陷的方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种避免晶圆边缘剥落缺陷的方法，包括：第一步骤，其中在晶圆上沉积金属薄膜；第二步骤，其中对晶圆上沉积的金属薄膜进行研磨，从而去除晶圆边缘上的铝薄膜，而仅仅留下晶圆正面的金属薄膜；第三步骤，其中对金属薄膜执行刻蚀工艺。本发明在刻蚀金属薄膜之前研磨消除了晶圆侧部边缘处的金属薄膜，由此提供了一种可以去除剥落缺陷源头的方法，从而根本上控制剥落缺陷，为良率提升做出贡献。通过应用本发明，可以从根本上消除剥落缺陷源头，为在线缺陷去除提供保障，为大批量晶圆生成提供良率保障。 | ||
| 申请公布号 | CN105047535A | 申请公布日期 | 2015.11.11 |
| 申请号 | CN201510375659.X | 申请日期 | 2015.06.30 |
| 申请人 | 上海华力微电子有限公司 | 发明人 | 范荣伟;龙吟;倪棋梁;陈宏璘 |
| 分类号 | H01L21/02(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人 | 智云 |
| 主权项 | 一种避免晶圆边缘剥落缺陷的方法，其特征在于包括：第一步骤，其中在晶圆上沉积金属薄膜；第二步骤，其中对晶圆上沉积的金属薄膜进行研磨，从而去除晶圆边缘上的铝薄膜，而仅仅留下晶圆正面的金属薄膜；第三步骤，其中对金属薄膜执行刻蚀工艺。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江开发区高斯路568号 | ||