发明名称 适用于高速冲击/低速振动控制系统的磁流变阻尼器
摘要 本发明公开了一种适用于高速冲击/低速振动控制系统的磁流变阻尼器,包括:含内腔体的缸体I,缸体II和可沿所述缸体I的内壁滑动的活塞,所述缸体I设置在所述缸体II内在所述缸体I、II之间形成外腔体,所述内腔体和外腔体均填充磁流变液且通过设置在所述缸体I两端的流孔连通,在所述缸体I的外壁和/或所述缸体II的内壁设置有至少一个绕有电磁线圈的凹槽,本发明,可以在不增加现有磁流变阻尼器外部尺寸、励磁电流以及磁流变阻尼器的能耗的前提下,有效地降低活塞运动速度和磁流变液流道(即外腔体)的速度比,同时满足高速冲击和低速振动控制系统的磁流变阻尼器的可控阻尼比和可控速度范围的要求。
申请公布号 CN103527702B 申请公布日期 2015.11.11
申请号 CN201310508757.7 申请日期 2013.10.24
申请人 合肥工业大学 发明人 白先旭;钱立军
分类号 F16F9/53(2006.01)I 主分类号 F16F9/53(2006.01)I
代理机构 北京海虹嘉诚知识产权代理有限公司 11129 代理人 谢殿武
主权项 一种适用于高速冲击/低速振动控制系统的磁流变阻尼器,包括:含内腔体的缸体I,缸体II和可沿所述缸体I的内壁滑动的活塞,所述缸体I设置在所述缸体II内在所述缸体I、缸体II之间形成外腔体,所述内腔体和外腔体均填充磁流变液且通过设置在所述缸体I两端的液流孔连通,其特征在于:在所述缸体I的外壁和所述缸体II的内壁均设置有至少一个绕有电磁线圈的凹槽;还包括:端盖I、端盖II,所述缸体I、缸体II的两端分别通过所述端盖I、端盖II固定密封。
地址 230009 安徽省合肥市屯溪路193号