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一种水性后段化学机械抛光(CMP)残留物移除组成物，其包含至少一胺、至少一钝化剂、至少一第四级硷、至少一还原剂及其余为水，其中，该至少一还原剂包含选自由抗坏血酸、L(+)-抗坏血酸、异抗坏血酸、抗坏血酸衍生物、五倍子酸、乙二醛及其之组合所组成之群之物种，及其中，该至少一钝化剂选自由经诸如C1-C8烷基、胺基、硫醇、巯基、亚胺基、羧基及硝基之取代基取代的三唑、1,2,4-三唑(TAZ)、甲苯三唑、3-胺基-5-巯基-1,2,4-三唑、1-胺基-1,2,4-三唑、1-胺基-1,2,3-三唑、1-胺基-5-甲基-1,2,3-三唑、3-胺基-1,2,4-三唑、3-巯基-1,2,4-三唑、3-异丙基-1,2,4-三唑、萘并三唑、2-巯基-苯并咪唑(MBI)、2-巯基-苯并噻唑、4-甲基-2-苯基咪唑、2-巯基噻唑啉、5-胺基四唑(ATA)、5-胺基-1,3,4-噻二唑-2-硫醇、2,4-二胺基-6-甲基-1,3,5-三、噻唑、三、甲基四唑、1,3-二甲基-2-咪唑啶酮、1,5-五亚甲基四唑、1-苯基-5-巯基四唑、二胺甲基三、咪唑啉硫酮、4-甲基-4H-1,2,4-三唑-3-硫醇、5-胺基-1,3,4-噻二唑-2-硫醇、苯并噻唑、磷酸三甲苯酯、咪唑、吲二唑、苯甲酸铵、及其之组合所组成之群，及其中，该移除组成物之pH系在10至12之范围内。 |
