| 发明名称 | 制备铜锡硫或铜锡硫硒薄膜的方法 | ||
| 摘要 | 本公开提供了一种制备铜锡硫或铜锡硫硒薄膜的方法，所述方法包括以下步骤：步骤一：清洗衬底，以获得清洁衬底；步骤二：在步骤一所述清洁衬底上以任意顺序通过溶液沉积法连续交替沉积SnS薄膜和Cu薄膜；步骤三：在硫气氛或者硒气氛下，将步骤二得到的含有Sn元素和Cu元素薄膜的叠层进行热处理，得到铜锡硫或铜锡硫硒薄膜。 | ||
| 申请公布号 | CN105047753A | 申请公布日期 | 2015.11.11 |
| 申请号 | CN201510354656.8 | 申请日期 | 2015.06.24 |
| 申请人 | 中国科学技术大学 | 发明人 | 朱长飞;王亚光;李建民;刘伟丰;江国顺 |
| 分类号 | H01L31/18(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I;H01L21/477(2006.01)I | 主分类号 | H01L31/18(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 刘宇 |
| 主权项 | 一种制备铜锡硫或铜锡硫硒薄膜的方法，所述方法包括以下步骤：步骤一：清洗衬底，以获得清洁衬底；步骤二：在步骤一所述清洁衬底上以任意顺序通过溶液沉积法连续交替沉积SnS薄膜和Cu薄膜；步骤三：在硫气氛或者硒气氛下，将步骤二得到的含有Sn元素和Cu元素薄膜的叠层进行热处理，得到铜锡硫或铜锡硫硒薄膜。 | ||
| 地址 | 230026 安徽省合肥市包河区金寨路96号 | ||