发明名称 |
MEMS传感器倒装叠层封装结构及其制备方法 |
摘要 |
本发明公开了一种MEMS传感器倒装叠层封装结构及其制备方法,该MEMS传感器倒装叠层封装结构包括:基板,该基板表面具有多个凸块;专用集成电路,倒装焊接于该基板之上,该专用集成电路表面的焊盘与该基板表面的凸块对应扣合,实现该专用集成电路与该基板的电路连接;以及MEMS传感器,粘接于该专用集成电路之上,该MEMS传感器的焊盘通过焊线连接于该基板。本发明提供的MEMS传感器倒装叠层封装结构及其制备方法,采用倒装焊方式将ASIC焊接到PCB基板上,减少了一次焊线工艺步骤,简化了工艺复杂度和材料成本。由于ASIC不需要焊线到PCB基板上,可以进一步缩小芯片的封装体积,有利于最终封装尺寸的微型化。 |
申请公布号 |
CN105036067A |
申请公布日期 |
2015.11.11 |
申请号 |
CN201510288991.2 |
申请日期 |
2015.05.29 |
申请人 |
中国科学院电子学研究所 |
发明人 |
蔡浩原;方东明;杜利东;马天军;刘昶;方震 |
分类号 |
B81C3/00(2006.01)I;B81B7/02(2006.01)I |
主分类号 |
B81C3/00(2006.01)I |
代理机构 |
中科专利商标代理有限责任公司 11021 |
代理人 |
任岩 |
主权项 |
一种MEMS传感器倒装叠层封装结构,包括:基板,该基板表面具有多个凸块;专用集成电路,倒装焊接于该基板之上,该专用集成电路表面的焊盘与该基板表面的凸块对应扣合,实现该专用集成电路与该基板的电路连接;以及MEMS传感器,粘接于该专用集成电路之上。 |
地址 |
100190 北京市海淀区北四环西路19号 |