发明名称 MEMS传感器倒装叠层封装结构及其制备方法
摘要 本发明公开了一种MEMS传感器倒装叠层封装结构及其制备方法,该MEMS传感器倒装叠层封装结构包括:基板,该基板表面具有多个凸块;专用集成电路,倒装焊接于该基板之上,该专用集成电路表面的焊盘与该基板表面的凸块对应扣合,实现该专用集成电路与该基板的电路连接;以及MEMS传感器,粘接于该专用集成电路之上,该MEMS传感器的焊盘通过焊线连接于该基板。本发明提供的MEMS传感器倒装叠层封装结构及其制备方法,采用倒装焊方式将ASIC焊接到PCB基板上,减少了一次焊线工艺步骤,简化了工艺复杂度和材料成本。由于ASIC不需要焊线到PCB基板上,可以进一步缩小芯片的封装体积,有利于最终封装尺寸的微型化。
申请公布号 CN105036067A 申请公布日期 2015.11.11
申请号 CN201510288991.2 申请日期 2015.05.29
申请人 中国科学院电子学研究所 发明人 蔡浩原;方东明;杜利东;马天军;刘昶;方震
分类号 B81C3/00(2006.01)I;B81B7/02(2006.01)I 主分类号 B81C3/00(2006.01)I
代理机构 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人 任岩
主权项 一种MEMS传感器倒装叠层封装结构,包括:基板,该基板表面具有多个凸块;专用集成电路,倒装焊接于该基板之上,该专用集成电路表面的焊盘与该基板表面的凸块对应扣合,实现该专用集成电路与该基板的电路连接;以及MEMS传感器,粘接于该专用集成电路之上。
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