发明名称 |
一种改进的NiCr合金湿法刻蚀工艺 |
摘要 |
本发明公开了一种改进的NiCr合金湿法刻蚀工艺,步骤如下:①采用化学或物理气相沉积工艺在基片上沉积待刻蚀NiCr薄膜;②采用化学或物理气相沉积工艺在待刻蚀的NiCr薄膜上沉积一层不被NiCr刻蚀液刻蚀的保护膜;③在保护膜上涂覆光刻胶,刻蚀光刻胶得到需要的光刻胶掩版;④采用干法刻蚀工艺刻蚀保护膜上获得与光刻胶掩版一致的图形;⑤刻蚀NiCr薄膜获得所需的NiCr图形;⑥依次去除光刻胶和保护膜,得到最终所需的NiCr图形。本发明中,保护膜与NiCr薄膜形成紧密的接触,从而能防止产生过刻蚀,刻蚀的图形边缘清晰无毛边,均匀性良好。 |
申请公布号 |
CN105039984A |
申请公布日期 |
2015.11.11 |
申请号 |
CN201510375495.0 |
申请日期 |
2015.06.30 |
申请人 |
电子科技大学 |
发明人 |
黎威志;吴志明;赵晖;谢骞;蒋亚东 |
分类号 |
C23F1/02(2006.01)I |
主分类号 |
C23F1/02(2006.01)I |
代理机构 |
成都弘毅天承知识产权代理有限公司 51230 |
代理人 |
杨保刚;晏辉 |
主权项 |
一种改进的NiCr合金湿法刻蚀工艺,其特征在于,步骤如下:①采用化学或物理气相沉积工艺在基片上沉积待刻蚀NiCr薄膜;②采用化学或物理气相沉积工艺在待刻蚀的NiCr薄膜上沉积一层不被NiCr刻蚀液刻蚀的保护膜;③在保护膜上涂覆光刻胶,刻蚀光刻胶得到需要的光刻胶掩版;④采用干法刻蚀工艺刻蚀保护膜上获得与光刻胶掩版一致的图形;⑤刻蚀NiCr薄膜获得所需的NiCr图形;⑥依次去除光刻胶和保护膜,得到最终所需的NiCr图形。 |
地址 |
611731 四川省成都市高新西区西源大道2006号 |