发明名称 一种改进的NiCr合金湿法刻蚀工艺
摘要 本发明公开了一种改进的NiCr合金湿法刻蚀工艺,步骤如下:①采用化学或物理气相沉积工艺在基片上沉积待刻蚀NiCr薄膜;②采用化学或物理气相沉积工艺在待刻蚀的NiCr薄膜上沉积一层不被NiCr刻蚀液刻蚀的保护膜;③在保护膜上涂覆光刻胶,刻蚀光刻胶得到需要的光刻胶掩版;④采用干法刻蚀工艺刻蚀保护膜上获得与光刻胶掩版一致的图形;⑤刻蚀NiCr薄膜获得所需的NiCr图形;⑥依次去除光刻胶和保护膜,得到最终所需的NiCr图形。本发明中,保护膜与NiCr薄膜形成紧密的接触,从而能防止产生过刻蚀,刻蚀的图形边缘清晰无毛边,均匀性良好。
申请公布号 CN105039984A 申请公布日期 2015.11.11
申请号 CN201510375495.0 申请日期 2015.06.30
申请人 电子科技大学 发明人 黎威志;吴志明;赵晖;谢骞;蒋亚东
分类号 C23F1/02(2006.01)I 主分类号 C23F1/02(2006.01)I
代理机构 成都弘毅天承知识产权代理有限公司 51230 代理人 杨保刚;晏辉
主权项 一种改进的NiCr合金湿法刻蚀工艺,其特征在于,步骤如下:①采用化学或物理气相沉积工艺在基片上沉积待刻蚀NiCr薄膜;②采用化学或物理气相沉积工艺在待刻蚀的NiCr薄膜上沉积一层不被NiCr刻蚀液刻蚀的保护膜;③在保护膜上涂覆光刻胶,刻蚀光刻胶得到需要的光刻胶掩版;④采用干法刻蚀工艺刻蚀保护膜上获得与光刻胶掩版一致的图形;⑤刻蚀NiCr薄膜获得所需的NiCr图形;⑥依次去除光刻胶和保护膜,得到最终所需的NiCr图形。
地址 611731 四川省成都市高新西区西源大道2006号