| 发明名称 | 受保护电极结构和方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了电极结构及其生产方法。所公开的电极结构可通过将第一剥离层沉积于第一载体基质上而生产。可将第一保护层沉积于第一剥离层的表面上，然后可将第一电活性材料层沉积于第一保护层上。 | ||
| 申请公布号 | CN105051944A | 申请公布日期 | 2015.11.11 |
| 申请号 | CN201480014718.4 | 申请日期 | 2014.03.13 |
| 申请人 | 锡安能量公司 | 发明人 | Y·V·米哈伊利克;M·G·拉勒米;J·J·C·科佩拉 |
| 分类号 | H01M4/04(2006.01)I;H01M4/02(2006.01)I;H01M10/04(2006.01)I;H01M10/05(2006.01)I | 主分类号 | H01M4/04(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人 | 张蓉珺;林柏楠 |
| 主权项 | 一种方法，其包括：提供第一载体基质；将第一剥离层沉积在第一载体基质上，其中第一剥离层与第一载体基质相背的表面的平均峰‑谷粗糙度为约0.1μm至约1μm；将第一保护层沉积在第一剥离层的表面上；和将第一电活性材料层沉积在第一保护层上。 | ||
| 地址 | 美国亚利桑那州 | ||