一种用于增强ESD性能的IO电路

摘要

本发明公开了一种用于增强ESD性能的IO电路，其包括检测电路、前级驱动电路、ESD保护管和IO驱动管；所述检测电路由电阻和电容串联构成，所述前级驱动电路由尺寸适中的MOS构成，所述ESD保护管和IO驱动管复用并由大尺寸NMOS和大尺寸PMOS构成。电阻R和电容C构成检测电路，能够检测ESD事件，并作为前级驱动的输入；前级驱动电路控制大尺寸NMOS和大尺寸PMOS的开关；大尺寸NMOS及大尺寸PMOS，在ESD事件中及时有效的释放静电，而在正常工作中作为IO电路的驱动管。本发明与常规方法相比，要达到同等ESD水平，所需要的NMOS和PMOS面积大为减小，并通过ESD保护器件与驱动管复用，更为有效地减小电路面积。

主权项

一种用于增强ESD性能的IO电路，其特征在于所述IO电路包括检测电路、前级驱动电路、ESD保护管和IO驱动管；所述检测电路由电阻和电容串联构成，所述前级驱动电路由尺寸适中的MOS构成，所述ESD保护管和IO驱动管复用并由大尺寸NMOS和大尺寸PMOS构成。电阻R和电容C构成检测电路，能够检测ESD事件，并作为前级驱动的输入；前级驱动电路控制大尺寸NMOS和大尺寸PMOS的开关；大尺寸NMOS及大尺寸PMOS，在ESD事件中及时有效的释放静电，而在正常工作中作为IO电路的驱动管。