半导体装置及其制造方法

主权项

一种半导体装置，包含：一闸极电极，位在一绝缘表面上；一闸极绝缘膜，位在该闸极电极之上；一氧化物半导体膜，位在该闸极绝缘膜之上；一源极电极及一汲极电极，位在该氧化物半导体膜之上；一绝缘膜，位在该氧化物半导体膜、该源极电极、及该汲极电极之上，且该绝缘膜与该氧化物半导体膜相接触；以及一背闸极电极，位在该绝缘膜之上且该背闸极电极与该闸极电极及该氧化物半导体膜重叠，其中该背闸极电极包括一吸氢合金。