发明名称 |
形成用于具有预涂保护层的封装晶粒的互连结构之半导体装置与方法 |
摘要 |
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申请公布号 |
TWI508198 |
申请公布日期 |
2015.11.11 |
申请号 |
TW097139670 |
申请日期 |
2008.10.16 |
申请人 |
史达晶片有限公司 |
发明人 |
沈一权;林耀剑;邹胜原 |
分类号 |
H01L21/60;H01L23/48 |
主分类号 |
H01L21/60 |
代理机构 |
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代理人 |
桂齐恒 台北市中山区长安东路2段112号9楼;阎启泰 台北市中山区长安东路2段112号9楼 |
主权项 |
一种制造半导体装置的方法,包含:提供接触垫片;配置半导体晶粒,该半导体晶粒具有预涂保护层在其邻近于该接触垫片的主动面上,其中该预涂保护层的覆盖面积不大于该半导体晶粒的覆盖面积;于半导体晶粒与接触垫片之上沉积密封物;在预涂保护层与接触垫片之上形成第一绝缘层;于第一绝缘层与预涂保护层中形成通孔,以在半导体晶粒上显露出互连部位;并且在第一绝缘层上形成互连结构,该互连结构与在半导体晶粒及接触垫片上的互连部位电性连接。
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地址 |
新加坡 |