发明名称 半导体器件
摘要 本发明提供一种半导体器件,包括:晶体管、保持电容器、第一开关、第二开关、第三开关以及整流元件,其中,晶体管的源极及漏极中的一方电连接到像素电极,晶体管的源极及漏极中的一方通过整流元件电连接到扫描线,晶体管的源极及漏极中的另一方电连接到布线,晶体管的栅极通过第三开关及第二开关电连接到布线,晶体管的栅极通过第三开关及第一开关电连接到信号线,并且晶体管的栅极通过第三开关及保持电容器电连接到晶体管的源极及漏极中的一方。根据本发明,能够抑制由晶体管的阈值电压的不均匀性导致的电流值的不均匀性,能够向发光元件等负载供应所需电流,能够通过使电源线的电位改变而提供占空比高的显示装置。
申请公布号 CN102496347B 申请公布日期 2015.11.11
申请号 CN201210026872.6 申请日期 2007.04.05
申请人 株式会社半导体能源研究所 发明人 木村肇
分类号 G09G3/32(2006.01)I 主分类号 G09G3/32(2006.01)I
代理机构 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 代理人 高科
主权项 一种半导体器件,包括:晶体管、保持电容器、第一开关、第二开关、第三开关以及整流元件,其中,所述晶体管的源极及漏极中的一方电连接到像素电极,所述晶体管的所述源极及所述漏极中的所述一方通过所述整流元件电连接到扫描线,所述晶体管的所述源极及所述漏极中的另一方电连接到布线,所述晶体管的栅极通过所述第三开关及所述第二开关电连接到所述布线,所述晶体管的所述栅极通过所述第三开关及所述第一开关电连接到信号线,并且所述晶体管的所述栅极通过所述第三开关及所述保持电容器电连接到所述晶体管的所述源极及所述漏极中的所述一方。
地址 日本神奈川