一种电容式压力传感器及其制备方法

摘要

本发明公开了一种电容式压力传感器，包括SOI硅片、单晶硅层、二氧化硅层和多晶硅层；所述的SOI硅片中设有真空密封腔；所述的二氧化硅层包括高度相等且平行布设的第一支撑层、第二支撑层和第三支撑层，第一支撑层位于真空密封腔正上方区域中，第二支撑层和第三支撑层位于真空密封腔正上方区域外侧，第二支撑层位于第一支撑层和第三支撑层之间；多晶硅层包括第一多晶硅层和第二多晶硅层，第一多晶硅层固定连接在第一支撑层和第二支撑层上，第二多晶硅层固定连接在第三支撑层上，且第一多晶硅层的一端面和第二多晶硅层的一端面相对。该传感器在性能分析时，具有更高的效率和灵敏度。同时还提供该传感器的制备方法，简单易行。

主权项

一种电容式压力传感器，其特征在于，该压力传感器包括从下向上依次布设的SOI硅片(1)、单晶硅层(3)、二氧化硅层(4)和多晶硅层(5)；所述的SOI硅片(1)中设有真空密封腔(2)，所述的二氧化硅层(4)包括高度相等且平行布设的第一支撑层(401)、第二支撑层(402)和第三支撑层(403)，第一支撑层(401)位于真空密封腔(2)正上方区域中，第二支撑层(402)和第三支撑层(403)位于真空密封腔(2)正上方区域外侧，第二支撑层(402)位于第一支撑层(401)和第三支撑层(403)之间；多晶硅层(5)包括第一多晶硅层(501)和第二多晶硅层(502)，第一多晶硅层(501)固定连接在第一支撑层(401)和第二支撑层(402)上，第二多晶硅层(502)固定连接在第三支撑层(403)上，且第一多晶硅层(501)的一端面和第二多晶硅层(502)的一端面相对。