| 发明名称 | 鳍式半导体器件 | ||
| 摘要 | 一种装置包括基板和从基板延伸出的鳍式半导体器件。该鳍式半导体器件包括鳍，该鳍包括具有第一掺杂浓度的第一区域和具有第二掺杂浓度的第二区域。第一掺杂浓度大于第二掺杂浓度。该鳍式半导体器件还包括氧化层。在该鳍式半导体器件的源极和漏极形成之前，该氧化层的掺杂浓度小于第一掺杂浓度。 | ||
| 申请公布号 | CN105051904A | 申请公布日期 | 2015.11.11 |
| 申请号 | CN201480014063.0 | 申请日期 | 2014.03.12 |
| 申请人 | 高通股份有限公司 | 发明人 | X·李;B·杨;S·S·宋 |
| 分类号 | H01L29/66(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L21/8234(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/66(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人 | 李小芳 |
| 主权项 | 一种装置，包括：基板；以及从所述基板延伸出的鳍式半导体器件，所述鳍式半导体器件包括：鳍，所述鳍包括具有第一掺杂浓度的第一区域和具有第二掺杂浓度的第二区域，其中所述第一掺杂浓度大于所述第二掺杂浓度；以及氧化层，其中在所述鳍式半导体器件的源极和漏极形成之前，所述氧化层的掺杂浓度小于所述第一掺杂浓度。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||