单刀六掷射频收发开关电路

摘要

本发明提出一种具有较小的尺寸和较低的成本，同时具有优良的线性度和隔离度的单刀六掷射频收发开关电路，它包括天线(1)，它还包括第一至十二MOS场效应管(2、3、4、5、6、7、8、9、10、11、12、13)；各MOS场效应管的G端用于与通断控制信号连接；各MOS场效应管均设有P阱/深N阱和深N阱/P衬底的双二极管，其中深N阱和P阱浮空。

主权项

一种单刀六掷射频收发开关电路，它包括天线（1），其特征在于，它还包括第一至十二MOS场效应管（2、3、4、5、6、7、8、9、10、11、12、13），第一MOS场效应管（2）的S端、第二MOS场效应管（3）的S端均与第一GSM发射端Tx1连接，第三MOS场效应管（4）的D端、第四MOS场效应管（5）的D端均与第二GSM发射端Tx2连接，第五MOS场效应管（6）的D端、第六MOS场效应管（7）的D端均与第一GSM接收端Rx1连接，第七MOS场效应管（8）的S端、第八MOS场效应管（9）的S端均与第二GSM接收端Rx2连接，第九MOS场效应管（10）的D端、第十MOS场效应管（11）的D端均与WCDMA发射端TRx1连接，第十一MOS场效应管（12）的S端、第十二MOS场效应管（13）的S端均与WCDMA接收端TRx2连接，第二MOS场效应管（3）的D端、第四MOS场效应管（5）的S端、第六MOS场效应管（7）的S端、第七MOS场效应管（8）的D端、第十MOS场效应管（11）的S端、第十一MOS场效应管（12）的D端均与天线（1）连接，第一MOS场效应管（2）的D端、第三MOS场效应管（4）的S端、第五MOS场效应管（6）的S端、第八MOS场效应管（9）的D端、第九MOS场效应管（10）的S端、第十二MOS场效应管（13）的D端均与零电位参考点连接；各MOS场效应管的G端用于与通断控制信号连接；各MOS场效应管均设有P阱/深N阱和深N阱/P衬底的双二极管，其中深N阱和P阱浮空。