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经营范围
发明名称
半导体装置
摘要
申请公布号
TWI507802
申请公布日期
2015.11.11
申请号
TW102131676
申请日期
2007.09.28
申请人
半导体能源研究所股份有限公司
发明人
藤川最史;细谷邦雄
分类号
G02F1/136
主分类号
G02F1/136
代理机构
代理人
林志刚 台北市中山区南京东路2段125号7楼
主权项
一种半导体装置,包含:闸极电极层;绝缘层,其位在该闸极电极层上;像素电极,其位在该绝缘层上;数个导电层,其位在该绝缘层上;及间隔件,其位在该数个导电层上;其中该数个导电层及该闸极电极层相互重叠,其中该像素电极和该数个导电层于相同步骤由透明导电膜所形成,其中该像素电极没有电连接至该数个导电层,及其中该数个导电层设置在比该间隔件的底缘更内之位置。
地址
日本
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