发明名称 半导体装置
摘要
申请公布号 TWI508266 申请公布日期 2015.11.11
申请号 TW099136940 申请日期 2010.10.28
申请人 半导体能源研究所股份有限公司 发明人 山崎舜平;小山润;加藤清
分类号 H01L27/115;G11C11/401 主分类号 H01L27/115
代理机构 代理人 林志刚 台北市中山区南京东路2段125号7楼
主权项 一种半导体装置,包括:第一布线、第二布线、第三布线、第四布线、第五布线以及在该第一布线和该第二布线之间并联连接的多个储存元件,其中,该多个储存元件的其中之一包含:具有第一闸极电极、第一源极电极以及第一汲极电极的第一电晶体;具有第二闸极电极、第二源极电极以及第二汲极电极的第二电晶体;以及具有第三闸极电极、第三源极电极以及第三汲极电极的第三电晶体,其中,该第一电晶体系设置在包含半导体材料的基板中,其中,该第二电晶体包含氧化物半导体层,其中,该第一闸极电极与该第二源极电极和该第二汲极电极的其中一者系相互电连接,其中,该第一布线与该第一源极电极系相互电连接,其中,该第一汲极电极与该第三源极电极系相互电连接,其中,该第二布线与该第三汲极电极相互电连接,其中,该第三布线与该第二源极电极和该第二汲极电极中的另一者系相互电连接,并且其中,该第四布线与该第二闸极电极系相互电连接,其中,该第五布线与该第三闸极电极系相互电连接。
地址 日本