后端金属层中的集成电阻式存储器

摘要

本发明涉及后端金属层中的集成电阻式存储器，提供存储器器件，其具有集成在其后端层内的电阻式切换存储器。举例来说，在多种实施例中，该电阻式切换存储器可以是嵌入式存储器，例如高速缓存、随机存取存储器等。电阻式存储器可以制造在多种后端金属化结构之间，该后端金属化结构包括后端铜金属层并且部份地利用一个或多个镶嵌工艺。在一些实施例中，电阻式存储器可以部份地使用镶嵌工艺以及部份地使用负蚀刻处理而制造，其利用四个或更少的光阻掩模。因此，本发明提供相对低成本且高性能的嵌入式存储器，其兼容于集成电路铸造制造工艺的多样性。

主权项

一种存储器器件，包括：衬底，其包括至少部份形成在所述衬底内的一个或多个电子器件；介电层，其位于该衬底上方；通孔结构，其于该介电层内加衬有扩散减缓层并且填充有铜金属，其中，所述通孔结构通过移除该介电层的一部分而形成；阻挡层，其形成在该介电层和该通孔结构上方，其中，所述阻挡层减轻铜材料扩散进入或穿过所述阻挡层；第二通孔结构，其形成在该阻挡层内并且暴露出该通孔结构中的铜金属的顶表面；导电插塞，其经由镶嵌工艺形成在该第二通孔结构内并与该铜金属的顶表面电接触；以及存储器单元堆栈，其沉积在该阻挡层上方以及在该第二通孔结构内的导电插塞上方，其中，所述存储器单元堆栈被图案化及蚀刻以形成在该通孔结构上方的分立双端子存储器器件，并使该导电插塞作为该分立双端子存储器器件的底部端子。