具有包含InGaN的有源区的半导体结构体、形成此类半导体结构体的方法以及由此类半导体结构体形成的发光器件

摘要

本发明涉及一种半导体结构体，其包含位于多个InGaN层之间的有源区。所述有源区至少基本由InGaN组成。所述多个InGaN层包含至少一个包含In_wGa_1-wN的阱层以及邻近所述至少一个阱层的至少一个包含In_bGa_1-bN的势垒层。在某些实施方式中，所述阱层的In_wGa_1-wN中的w值可以大于或等于约0.10且小于或等于约0.40，在某些实施方式中，所述至少一个势垒层的In_bGa_1-bN中的b值可以大于或等于约0.01且小于或等于约0.10。本发明还涉及一种形成半导体结构体的方法，该方法包括生长上述InGaN层以形成如LED等发光器件的有源区。本发明还涉及照明器件，其包含上述LED。

主权项

一种半导体结构体，其包含：GaN基体层，所述GaN基体层具有生长平面晶格参数大于或等于约3.189埃的极性生长平面；设置在所述基体层上的有源区，所述有源区包含多个InGaN层，所述多个InGaN层包含至少一个In_wGa_1‑wN阱层和至少一个In_bGa_1‑bN势垒层，其中0.10≤w≤0.40，0.01≤b≤0.10；设置在所述有源区与所述GaN基体层相对的一侧上的电子阻挡层；设置在所述电子阻挡层上的p‑型主体层，所述p‑型主体层包含In_pGa_1‑pN，其中0.00≤p≤0.08；和设置在所述p‑型主体层上的p‑型接触层，所述p‑型接触层包含In_cGa_1‑cN，其中0.00≤c≤0.10。