基于砷化镓基低漏电流双悬臂梁开关的或非门

摘要

本发明的基于GaAs基低漏电流双悬臂梁开关HEMT的或非门由直流偏置源、上拉电阻、GaAs基低漏电流双悬臂梁开关HEMT组成，减少晶体管数量的同时降低了电路的功耗。在HMET栅极上方对称设计的两个悬臂梁作为信号的输入端，在悬臂梁下方各有一个下拉电极，下拉电极上覆盖着一层绝缘的氮化硅介质层。当HMET两个输入为低电平时，悬臂梁都处于悬浮状态，此时HEMT的沟道被耗尽层阻断，漏极输出为高电平；当至少一个输入端为高电平时，高电平对应的悬臂梁被下拉，此时HEMT的沟道处于导通状态，漏极输出为低电平，从而实现了或非门逻辑功能。

主权项

一种基于砷化镓基低漏电流双悬臂梁开关的或非门，其特征是：该或非门以半绝缘GaAs衬底(1)为基底，在半绝缘GaAs衬底(1)上设有本征GaAs层(2)、本征AlGaAs层(3)、N⁺AlGaAs层(4)、源极(13)、漏极(14)、栅极金属层(5)和悬臂梁(12)；悬臂梁(12)材料为Au，其一端固定在锚区(8)上，锚区(8)和输入引线(9)相连，作为信号的输入端；在悬臂梁(12)的下方各有一个栅极金属层(5)和下拉电极(6)，下拉电极(6)接地，下拉电极(6)的上面覆盖一层绝缘的氮化硅介质层(7)，源极(13)、漏极(14)分别位于栅极金属层(5)的两侧，所述的漏极(14)与上拉电阻(17)相连，源极(13)接地，悬臂梁(12)的下拉电压设置为HEMT的阈值电压；本征GaAs层(2)和本征AlGaAs层(3)间的异质结形成的二维电子气通道，悬臂梁处于悬浮状态时被肖特基接触的耗尽区阻断，在施加偏置电压使悬臂梁(12)下拉时，肖特基接触的耗尽区变窄，二维电子气通道处于导通状态。