氮化镓基低漏电流悬臂梁开关场效应晶体管或非门

摘要

本发明的氮化镓基低漏电流悬臂梁开关场效应晶体管或非门，其特征在于该或非门由第一场效应晶体管(1)和第二场效应晶体管(2)以及一个负载电阻(3)组成，两个场效应晶体管的源极接在一起并共同接地，漏极也连接在一起并且共同通过电阻(3)接电源VCC，第一输入信号(A)和第二输入信号(B)分别通过锚区(7)在第一场效应晶体管(1)和第二场效应晶体管(2)的悬臂梁开关(5)上输入，输出信号在第一场效应晶体管(1)和第二场效应晶体管(2)的漏极与负载电阻(3)之间输出；引线(4)由金属构成，悬臂梁开关(5)的一端固定在锚区(7)上，另一端悬浮在MESFET的栅极(6)之上，减小了或非门的功耗。

主权项

一种氮化镓基低漏电流悬臂梁开关场效应晶体管或非门，其特征在于该或非门由两个具有悬臂梁开关的N型MESFET即第一场效应晶体管（1）和第二场效应晶体管（2）以及一个负载电阻（3）组成，第一场效应晶体管（1）和第二场效应晶体管（2）的源极接在一起并共同接地，漏极也连接在一起并且共同通过电阻（3）接电源VCC，第一输入信号（A）和第二输入信号（B）分别通过锚区（7）在第一场效应晶体管（1）和第二场效应晶体管（2）的悬臂梁开关（5）上输入，输出信号在第一场效应晶体管（1）和第二场效应晶体管（2）的漏极与负载电阻（3）之间输出；引线（4）由金属构成，悬臂梁开关（5）的一端固定在锚区（7）上，另一端悬浮在MESFET的栅极（6）之上，该悬臂梁开关（5）由钛/金/钛组成， MESFET由栅极（6）、源极和漏极构成，其中源极和漏极由金属和重掺杂N区形成欧姆接触构成，栅极（6）由金属和沟道区形成肖特基接触构成，锚区（7）制作在P型氮化镓衬底（11）上，N型有源区（9）构成源极和漏极，在悬臂梁开关（5）与P型氮化镓衬底（11）之间存在下拉电极（10），下拉电极（10）由氮化硅覆盖，下拉电极（10）接地。