发明名称 基于共振隧穿效应的近红外探测器
摘要 本发明提供一种基于共振隧穿效应的近红外探测器,其主体结构是一个共振隧穿二极管,但将共振隧穿二极管通常采用的双势垒结构变更为三势垒结构,以此抑制探测器的散粒噪声,并在三势垒结构和集电极之间外延生长吸收层。探测器工作时加正向偏压,近红外光从集电极入射,并在吸收层产生光生电子一空穴对,光生空穴在电场作用下向三势垒结构方向漂移,并在双势垒结构和吸收层的界面处堆积,进而改变了三势垒结构两侧的电势,增大了隧穿电流。探测器在室温下具有很高的响应度。
申请公布号 CN105047725A 申请公布日期 2015.11.11
申请号 CN201510308843.2 申请日期 2015.06.08
申请人 中国科学院半导体研究所;中国人民解放军军械工程学院 发明人 王广龙;董宇;倪海桥;陈建辉;高凤岐;乔中涛;裴康明;牛智川
分类号 H01L29/88(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L21/329(2006.01)I 主分类号 H01L29/88(2006.01)I
代理机构 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人 任岩
主权项 一种基于共振隧穿效应的近红外探测器,探测器的主体结构为共振隧穿二极管,其特征在于:共振隧穿二极管具有三势垒结构,沿外延生长方向依次设计为衬底、电极、发射极、隔离层、势垒层、量子阱、势垒层、量子阱、势垒层、吸收层、集电极和电极。
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