发明名称 |
基于共振隧穿效应的近红外探测器 |
摘要 |
本发明提供一种基于共振隧穿效应的近红外探测器,其主体结构是一个共振隧穿二极管,但将共振隧穿二极管通常采用的双势垒结构变更为三势垒结构,以此抑制探测器的散粒噪声,并在三势垒结构和集电极之间外延生长吸收层。探测器工作时加正向偏压,近红外光从集电极入射,并在吸收层产生光生电子一空穴对,光生空穴在电场作用下向三势垒结构方向漂移,并在双势垒结构和吸收层的界面处堆积,进而改变了三势垒结构两侧的电势,增大了隧穿电流。探测器在室温下具有很高的响应度。 |
申请公布号 |
CN105047725A |
申请公布日期 |
2015.11.11 |
申请号 |
CN201510308843.2 |
申请日期 |
2015.06.08 |
申请人 |
中国科学院半导体研究所;中国人民解放军军械工程学院 |
发明人 |
王广龙;董宇;倪海桥;陈建辉;高凤岐;乔中涛;裴康明;牛智川 |
分类号 |
H01L29/88(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L21/329(2006.01)I |
主分类号 |
H01L29/88(2006.01)I |
代理机构 |
中科专利商标代理有限责任公司 11021 |
代理人 |
任岩 |
主权项 |
一种基于共振隧穿效应的近红外探测器,探测器的主体结构为共振隧穿二极管,其特征在于:共振隧穿二极管具有三势垒结构,沿外延生长方向依次设计为衬底、电极、发射极、隔离层、势垒层、量子阱、势垒层、量子阱、势垒层、吸收层、集电极和电极。 |
地址 |
100083 北京市海淀区清华东路甲35号 |