发明名称 一种MEMS器件及其制作方法
摘要 本发明涉及一种MEMS器件,包括MEMS器件上电极(2)、隔热结构层(1)及MEMS器件下电极(3),MEMS器件下电极(3)中设有硅柱(3b),硅柱的下端与MEMS器件上电极(2)中的锚点(2b)对应键合连接、上端与MEMS器件下电极(3)中的金属引线(4)连接,实现垂直引线。本发明的一种MEMS器件,可以通过现有的技术手段按照本发明的步骤即可生产出来,在不需要改变器件结构的情况下,通过添加一独立的隔离结构来达到有效降低热应力、提高器件性能的效果,该热隔离结构简单、易于加工,制作完成后直接与器件层键合即可,大大提高了封装产品的可靠性和器件性能;实现器件垂直引线,缩小芯片体积,减小寄生电容,更高的传输速率及低功耗。
申请公布号 CN105036060A 申请公布日期 2015.11.11
申请号 CN201510365845.5 申请日期 2015.06.29
申请人 华东光电集成器件研究所 发明人 王文婧;郭群英;黄斌
分类号 B81C1/00(2006.01)I;B81B7/02(2006.01)I 主分类号 B81C1/00(2006.01)I
代理机构 安徽省蚌埠博源专利商标事务所 34113 代理人 杨晋弘
主权项 一种MEMS器件,包括MEMS器件上电极(2),MEMS器件上电极的底面键合隔热结构层(1)、MEMS器件上电极的上面键合MEMS器件下电极(3),其特征在于:MEMS器件下电极(3)中设有一组带有绝缘结构的硅柱(3b),硅柱下端与MEMS器件上电极中的锚点(2b)对应键合连接,MEMS器件下电极(3)顶层的埋氧层(3e)中制作与硅柱连接的金属引线(4),所述每个硅柱(3b)上端与器件结构下电极(3)中的金属引线(4)对应连接。
地址 233000 安徽省蚌埠市经济开发区财院路10号