发明名称 用于旋转压板式ALD腔室的等离子体源
摘要 提供了基板处理腔室以及用于处理多个基板的方法,并且所述基板处理腔室大体包括电感耦合的饼形等离子体源,所述电感耦合的饼形等离子体源定位成使得在压板上旋转的基板将穿过与所述等离子体源相邻的等离子体区域。
申请公布号 CN105051866A 申请公布日期 2015.11.11
申请号 CN201480015817.4 申请日期 2014.03.14
申请人 应用材料公司 发明人 J·C·福斯特;J·约德伏斯基
分类号 H01L21/205(2006.01)I;H01L21/203(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I 主分类号 H01L21/205(2006.01)I
代理机构 上海专利商标事务所有限公司 31100 代理人 黄嵩泉
主权项 一种处理腔室,所述处理腔室包括:至少一个电感耦合的饼形等离子体源,所述至少一个电感耦合的饼形等离子体源沿弧形路径被定位在所述处理腔室中,以便在与所述等离子体源相邻的等离子体区域中生成电感耦合等离子体,所述饼形等离子体源在内周边缘处具有狭窄的宽度,并在外周边缘处具有较大的宽度,所述饼形等离子体源包括在所述电感耦合等离子体源内的多个导电棒,所述电感耦合等离子体在狭窄的内周边缘与较宽的外周边缘之间具有基本上均匀的等离子体密度;以及基板支撑装置,所述基板支撑装置在所述处理腔室内,所述基板支撑装置可绕所述处理腔室的中心轴旋转,以使至少一个基板沿与所述至少一个饼形等离子体源相邻的所述弧形路径移动。
地址 美国加利福尼亚州