| 发明名称 | 一种化合物半导体薄膜的自组装生长方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种化合物半导体薄膜自组装生长方法，包括如下步骤：在衬底上预通入金属源反应物，高温下分解形成一金属薄层；退火形成金属岛状颗粒；通入III族和V族反应物，并控制V/III比范围在50～200之间，温度在800～1000℃之间，利用金属岛状颗粒作为生长催化剂，沿金属岛纵向生长纳米柱；提高温度至1050～1100℃之间并增加V/III比至1000～2000之间，使纳米柱顶部的侧向生长加快，形成连续的半导体薄膜。 | ||
| 申请公布号 | CN102842490B | 申请公布日期 | 2015.11.11 |
| 申请号 | CN201210293415.3 | 申请日期 | 2012.08.17 |
| 申请人 | 圆融光电科技有限公司 | 发明人 | 黄小辉;周德保;杨东;黄炳源;康健;梁旭东 |
| 分类号 | H01L21/20(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/20(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海翼胜专利商标事务所(普通合伙) 31218 | 代理人 | 孙佳胤 |
| 主权项 | 一种化合物半导体薄膜自组装生长方法，其特征在于包括如下步骤： 在衬底上预通入金属源反应物，高温下分解形成一金属薄层； 退火形成金属岛状颗粒； 通入III族和V族反应物，并控制V/III比范围在50～200之间，温度在800～1000℃之间，利用金属岛状颗粒作为生长催化剂，沿金属岛纵向生长形成晶核并进一步形成纳米柱，控制所述Ⅴ/Ⅲ比的范围及温度以利于晶核的纵向生长； 提高温度至1050～1100℃之间并增加V/III比至1000～2000之间，使纳米柱顶部的侧向生长加快，形成连续的半导体薄膜； 所述III族反应物与金属源反应物相同，所述金属岛状颗粒完全反应，融入半导体薄膜中。 | ||
| 地址 | 243000 安徽省马鞍山市经济技术开发区宝庆路399号1栋 | ||