一种抗辐射ONO反熔丝单元结构及其制备方法

摘要

本发明涉及一种抗辐射ONO反熔丝单元结构及其制备方法，属于微电子的技术领域。按照本发明提供的技术方案，抗辐射ONO反熔丝单元结构包括ONO反熔丝单元，ONO反熔丝单元制作在SOI硅衬底的顶层硅膜上，并被STI隔离槽全介质隔离；STI隔离槽的侧壁上覆盖有SiO_xN_y层，并填充有非掺杂的多晶硅或者非晶硅介质。本发明抗辐射ONO反熔丝单元结构的制作工艺简单，兼容于CMOS工艺，该抗辐射ONO反熔丝单元结构，不仅具有编程电压均匀性好、编程时间短、编程导通电阻低，而且具有抗总剂量和单粒子能力等优点，同时，本发明抗辐射ONO反熔丝单元结构的制备方法也适用于体硅CMOS工艺。

主权项

一种抗辐射ONO反熔丝单元结构，包括ONO反熔丝单元，其特征在于：所述ONO反熔丝单元制作在SOI硅衬底的顶层硅膜上，并被STI隔离槽全介质隔离；所述STI隔离槽的侧壁上覆盖有SiO_xN_y层，并填充有非掺杂的多晶硅或者非晶硅介质。