一种新型螺旋状GaN单晶纳米线及其制备方法

摘要

本发明涉及一种新型螺旋状GaN单晶纳米线及其制备方法，属于半导体纳米材料生产技术领域；本方法是利用化学气相沉积法制备螺旋状GaN纳米线，称取适量的金属Ga盛放在陶瓷舟中，将其置于水平管式炉的中间部位，称取适量MoCl₅盛放在陶瓷舟中，置于距中心温区20～30cm的上游位置，同时在距中心温区20～25cm位置处放置已镀金处理的Si衬底，密封水平管式炉；启动真空系统，炉内真空度至1×10^-3Pa时；通入Ar气，加热保温，将Ar气调至10sccm，同时扭开氨气气流阀通入氨气，反应进行1~2h后，断开氨气并冷却至室温，最后在Si衬底上收集一层沉积物，即为螺旋状GaN单晶纳米线；本方法易于实现、工艺简易、成本较低。

主权项

一种新型螺旋状GaN单晶纳米线的制备方法，其特征在于：利用化学气相沉积法制备新型螺旋GaN纳米线；采用金属Ga和NH₃气分别作为Ga源和N源， MoCl₅作为Mo源，具体方法包括如下步骤：（1）称取金属Ga 盛放在陶瓷舟中，将其置于水平管式炉的中间部位，按摩尔比Mo/Ga=0.15～0.20称取MoCl₅ 盛放在陶瓷舟中，置于距中心温区20～30cm的上游位置，同时在距中心温区下游20～25cm位置处放置已镀金处理的Si衬底，密封水平管式炉；（2）启动真空系统，炉内真空度至1×10^‑3 Pa时，通入Ar气，加热保温，将Ar气调至10sccm，同时扭开氨气气流阀通入NH₃气，反应进行1～2h后，断开氨气并冷却至室温，最后在Si衬底上收集一层沉积物，即为螺旋状GaN单晶纳米线。