发明名称 METHOD OF MANUFACTURING FREE-STANDING THIN FILM FOR THERMOELECTRIC APPLICATIONS
摘要 <p>본 발명에 따라서 기판을 제공하는 단계와; 상기 기판 상에 다층 구조의 열전 재료 박막을 형성하는 단계로서, 상기 다층 구조의 열전 재료 박막은 상기 기판 상에 형성되는 제1 열전 재료 박막과, 상기 제1 열전 재료 박막 상에 형성되는 제2 열전 재료 박막을 포함하고, 상기 제1 열전 재료 박막을 구성하는 원소의 이동도는 상기 제2 열전 재료 박막을 구성하는 원소의 이동도보다 큰 것인, 상기 다층 구조의 열전 재료 박막을 형성하는 단계와; 상기 다층 구조의 열전 재료 박막이 형성된 기판을 소정의 반응로 내부에 장착하여 열처리를 수행하는 단계와; 상기 반응로 내부에 일정 유량 이상의 불활성 가스를 도입하여, 상기 다층 구조의 열전 재료 박막이 형성된 기판을 향해 흘려주는 단계와; 상기 다층 구조의 열전 재료 박막을 상기 기판으로부터 분리하는 단계를 포함하는 자립형 열전 재료 박막 제조 방법이 제공된다.</p>
申请公布号 KR101568118(B1) 申请公布日期 2015.11.11
申请号 KR20130166935 申请日期 2013.12.30
申请人 发明人
分类号 H01L35/12 主分类号 H01L35/12
代理机构 代理人
主权项
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