| 发明名称 |
具有带有下层寄生漏电阻隔层的锗活性层之半导体装置 |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
TWI508298 |
申请公布日期 |
2015.11.11 |
| 申请号 |
TW102133632 |
申请日期 |
2013.09.17 |
| 申请人 |
英特尔公司 |
发明人 |
皮拉里塞堤 拉维;高尔 尼蒂;邓汉威;李 凡Ｈ;瑞奇马迪 威利;拉多沙弗杰维克 马克;戴威 吉伯特;杵 空 班杰明 |
| 分类号 |
H01L29/78;H01L29/40 |
主分类号 |
H01L29/78 |
| 代理机构 |
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代理人 |
恽轶群 台北市松山区南京东路3段248号7楼;陈文郎 台北市松山区南京东路3段248号7楼 |
| 主权项 |
一种平面半导体装置，其包含：设置于一基材上方的一第一缓冲层；设置于该第一缓冲层上方的一寄生漏电阻隔；设置于该寄生漏电阻隔上方的一第二缓冲层；设置于该第二缓冲层上方的一锗活性层；设置于该锗活性层上方的一闸电极堆叠；以及设置于该寄生漏电阻隔上方并位于该闸电极堆叠两侧的源极区与汲极区，其中该等源极与汲极区设置于该锗活性层之上并且位于该第二缓冲层，但不与该寄生漏电阻隔接触。
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| 地址 |
美国 |
