半导体装置及其制造方法

主权项

一种半导体装置的制造方法，包括如下步骤：形成闸极电极层；在该闸极电极层之上形成闸极绝缘层；在该闸极绝缘层之上形成金属薄膜；在该金属薄膜之上形成氧化物半导体层；对该金属薄膜和该氧化物半导体层加热，其中，使该金属薄膜的至少一部分氧化；形成在该氧化物半导体层的一部分上且直接接触于该氧化物半导体层的该部分并且覆盖且直接接触于该氧化物半导体层的边缘部及侧面的氧化物绝缘层；以及在该氧化物绝缘层之上形成源极电极层及汲极电极层，其中，该源极电极层及该汲极电极层各自直接接触于该氧化物半导体层。