| 发明名称 |
用于沉积具有低界面污染之层的方法 |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
TWI508150 |
申请公布日期 |
2015.11.11 |
| 申请号 |
TW099106480 |
申请日期 |
2010.03.05 |
| 申请人 |
应用材料股份有限公司 |
发明人 |
法度斯珍Ｒ;唐晋松;金以宽;古波若沙堤西;圣契兹艾罗 |
| 分类号 |
H01L21/30;H01L21/20 |
主分类号 |
H01L21/30 |
| 代理机构 |
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代理人 |
蔡坤财 台北市中山区松江路148号11楼;李世章 台北市中山区松江路148号11楼 |
| 主权项 |
一种沉积一层之方法，至少包括：在一还原气氛中退火一含矽层，该含矽层上配置有一第一层，该还原气氛包括一还原气体；在退火后利用一蚀刻处理来移除该第一层以暴露该含矽层，其中该蚀刻处理利用一由一蚀刻气体形成之电浆，该蚀刻气体不同于该还原气体；及将一第二层沉积于该暴露之含矽层上。
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| 地址 |
美国 |
