| 发明名称 | 一种功率MOSFET器件栅电极结构 | ||
| 摘要 | 本实用新型公开了一种功率MOSFET器件栅电极结构，所述功率MOSFET器件栅电极结构具有长条状多晶，该长条状多晶将所述功率MOSFET器件栅电极引线区域和该功率MOSFET器件栅电极的打线区域连接在一起，所述长条状多晶的电阻作为栅极电阻。所述长条状多晶与所述功率MOSFET器件栅极多晶同时工艺。 | ||
| 申请公布号 | CN204760387U | 申请公布日期 | 2015.11.11 |
| 申请号 | CN201520541311.9 | 申请日期 | 2015.07.23 |
| 申请人 | 深圳市谷峰电子有限公司;香港谷峰半导体有限公司 | 发明人 | 陆怀谷 |
| 分类号 | H01L29/423(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/423(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海精晟知识产权代理有限公司 31253 | 代理人 | 冯子玲 |
| 主权项 | 一种功率MOSFET器件栅电极结构，其特征在于，所述功率MOSFET器件栅电极结构具有长条状多晶，该长条状多晶将所述功率MOSFET器件栅电极引线区域和该功率MOSFET器件栅电极的打线区域连接在一起，所述长条状多晶的电阻作为栅极电阻。 | ||
| 地址 | 518000 广东省深圳市海汇路华创达文化科技产业园E509 | ||