高压半导体器件

摘要

本实用新型提供了一种高压半导体器件，该器件包括：第一掺杂类型的半导体衬底；第二掺杂类型的外延层，位于半导体衬底上；第二掺杂类型的高压阱，位于外延层内；第二掺杂类型的深阱，位于高压阱内；第一掺杂类型的降场层，位于外延层的表面和/或外延层的内部，降场层的至少一部分位于深阱内；第一掺杂类型的第一阱，与高压阱并列地位于外延层内；第二掺杂类型的源极欧姆接触区，位于第一阱内；漏极欧姆接触区，位于深阱内；靠近源极欧姆接触区的栅极，至少覆盖源极欧姆接触区与高压阱之间的外延层。本实用新型能够有效降低工艺制造难度，提高器件参数特性，而且有利于提高器件的可靠性。

主权项

一种高压半导体器件，其特征在于，包括：第一掺杂类型的半导体衬底；第二掺杂类型的外延层，位于所述半导体衬底上，所述第二掺杂类型与第一掺杂类型相反；第二掺杂类型的高压阱，位于所述外延层内；第二掺杂类型的深阱，位于所述高压阱内；第一掺杂类型的降场层，位于所述外延层的表面和/或所述外延层的内部，所述降场层的至少一部分位于所述深阱内；第一掺杂类型的第一阱，与所述高压阱并列地位于所述外延层内；第二掺杂类型的源极欧姆接触区，位于所述第一阱内；漏极欧姆接触区，位于所述深阱内；靠近所述源极欧姆接触区的栅极，至少覆盖所述源极欧姆接触区与所述高压阱之间的外延层。