发明名称 一种电容器用掺混纳米二硫化钼负载氧化石墨烯的聚酰亚胺高介电复合薄膜及其制备方法
摘要 本发明公开了一种电容器用掺混纳米二硫化钼负载氧化石墨烯的聚酰亚胺高介电复合薄膜,该复合薄膜在聚酰亚胺薄膜制备过程中掺混纳米二硫化钼、氧化石墨烯溶胶等成分,将氧化石墨烯吸附负载在纳米二硫化钼中,以提高其分散性和利用率,再利用在有机溶剂中具有良好稳定性的聚乙烯醇膜对粉体进行包覆处理,而经过硅烷偶联剂表面改性处理后的复合粉体与有机胶液界面相容性好,更易分散均匀,从而稳定高效的改善了材料的介电性能,最后制备得到的复合薄膜材料较单纯的聚酰亚胺薄膜在介电性能上获得极大改善,且仍保持良好的力学性能和加工性能,应用前景良好。
申请公布号 CN105037765A 申请公布日期 2015.11.11
申请号 CN201510478670.9 申请日期 2015.08.03
申请人 铜陵市胜达电子科技有限责任公司 发明人 唐彬;唐发根
分类号 C08J5/18(2006.01)I;C08L79/08(2006.01)I;C08G73/10(2006.01)I;C08K13/06(2006.01)I;C08K9/06(2006.01)I;C08K9/10(2006.01)I;C08K9/12(2006.01)I;C08K3/04(2006.01)I 主分类号 C08J5/18(2006.01)I
代理机构 安徽合肥华信知识产权代理有限公司 34112 代理人 方琦
主权项 一种电容器用掺混纳米二硫化钼负载氧化石墨烯的聚酰亚胺高介电复合薄膜,其特征在于,该复合薄膜由以下重量份的原料制备得到:固含量为35‑40%的氧化石墨烯溶胶0.5‑0.8、均苯四甲酸二酐10‑12、4,4<sup>,</sup>‑二氨基二苯基醚8‑10、纳米二硫化钼1‑2、N‑乙烯基吡咯烷酮3‑5、N,N‑二甲基乙酰胺20‑25、无水乙醇3‑5、硅烷偶联剂0.1‑0.2、甲基丙烯酸羟乙酯0.4‑0.5、聚乙烯醇0.1‑0.2、水4‑5。
地址 244000 安徽省铜陵市经济技术开发区翠湖四路西段5105号