发明名称 一种膜电容器用掺混纳米陶瓷粉的聚丙烯基复合介电薄膜及其制备方法
摘要 本发明涉及介电薄膜材料制备领域,具体涉及一种膜电容器用掺混纳米陶瓷粉的聚丙烯基复合介电薄膜及其制备方法,该复合薄膜以厚度≤5μm聚丙烯薄膜为基膜,并在基膜表面涂布厚度≤5μm的掺混纳米陶瓷粉的纳米结晶纤维素/聚偏氟乙烯复合涂层制成,这种复合涂层力学性能优良,具有较高的介电常数和较低的介电损耗,涂层致密平整,耐温性好,与聚丙烯薄膜牢固附着,充分的结合了有机/无机介电材料的优点,改善了单纯聚丙烯薄膜的使用性能,且生产制备过程简单,适合大规模生产,可用于生产小型化和大容量化的膜电容器。
申请公布号 CN105037775A 申请公布日期 2015.11.11
申请号 CN201510478697.8 申请日期 2015.08.03
申请人 铜陵市胜达电子科技有限责任公司 发明人 唐彬;唐发根
分类号 C08J7/04(2006.01)I;C09D127/08(2006.01)I;C09D101/02(2006.01)I;C09D7/12(2006.01)I;C08L23/12(2006.01)N 主分类号 C08J7/04(2006.01)I
代理机构 安徽合肥华信知识产权代理有限公司 34112 代理人 方琦
主权项 一种膜电容器用掺混纳米陶瓷粉的聚丙烯基复合介电薄膜,其特征在于,该介电薄膜以厚度≤5μm聚丙烯薄膜为基膜,并在基膜表面涂布厚度≤5μm的复合涂层,所述的复合涂层由以下重量份的原料配制而成:纳米陶瓷粉4‑5、醇醚类溶剂10‑15、聚醚改性硅油0.1‑0.2、聚乙烯吡咯烷酮1‑2、N,N‑二甲基乙酰胺20‑25、聚乙二醇400 0.3‑0.5、纳米结晶纤维素2‑3、聚偏氯乙烯10‑12。
地址 244000 安徽省铜陵市经济技术开发区翠湖四路西段5105号