发明名称 用以达成多种材料之目标蚀刻处理指标的气体团簇离子束蚀刻方法
摘要
申请公布号 TWI508166 申请公布日期 2015.11.11
申请号 TW101130147 申请日期 2012.08.20
申请人 东京威力科创艾派恩股份有限公司 发明人 塔贝特 马丁D;欧森 克里斯多夫K;邵岩;马奎曼 路艾尔德
分类号 H01L21/3065 主分类号 H01L21/3065
代理机构 代理人 周良谋 新竹市东大路1段118号10楼;周良吉 新竹市东大路1段118号10楼
主权项 一种基板之上的材料之蚀刻方法,包含以下步骤:一减压环境的维持步骤,维持一基板夹持具之周围的一减压环境,而该基板夹持具系用以夹持一基板,其具有一第一材料、一第二材料、及使该第一材料及该第二材料之至少一者露出的一表面;一夹持步骤,在该减压环境之中稳固地夹持该基板;及一气体团簇离子束(GCIB)蚀刻处理的执行步骤,执行一GCIB蚀刻处理以使用一GCIB来移除该第一材料之至少一局部,其中若该第一材料及该第二材料在该GCIB蚀刻处理的一开始并非两者均露出,则该GCIB蚀刻处理的持续时间系足够长以使该第一材料及该第二材料露出,该GCIB蚀刻处理的执行步骤包含以下步骤:一选定步骤,就该GCIB蚀刻处理选定目标蚀刻处理指标,该目标蚀刻处理指标系包括该第一材料与该第二材料之间的一蚀刻选择性、及下列至少一者:该第一材料的一表面粗糙度或该第二材料的一表面粗糙度;一GCIB处理条件的建立步骤,就该GCIB蚀刻处理建立包含GCIB性质的一GCIB处理条件,以达成该目标蚀刻处理指标,该GCIB处理条件的建立步骤包含:设定一处理组成、该处理组成中之至少一成分的流量、一射束加速电位、及下列至少一者:供该GCIB通过其中之一增大的压力区之中的一背景气体压力或一背景气体流量;一GCIB的形成步骤,由含有该处理组成的一加压气体形成该GCIB,该处理组成包含至少一蚀刻气体;一加速步骤,根据所建立之该GCIB处理条件使该GCIB加速而穿过该减压环境;及一照射步骤,使该GCIB照射在该基板之该表面的至少一局部之上而移除该第一材料的该至少一局部。
地址 美国