| 发明名称 |
双重模造晶粒形成于增进互连结构之对边上之半导体装置和方法 |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
TWI508202 |
申请公布日期 |
2015.11.11 |
| 申请号 |
TW099123251 |
申请日期 |
2010.07.15 |
| 申请人 |
史达晶片有限公司 |
发明人 |
派盖菈 瑞莎Ａ |
| 分类号 |
H01L21/60;H01L21/56;H01L23/52 |
主分类号 |
H01L21/60 |
| 代理机构 |
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代理人 |
阎启泰 台北市中山区长安东路2段112号9楼;林景郁 台北市中山区长安东路2段112号9楼 |
| 主权项 |
一种制造半导体装置的方法，其包括：提供一第一半导体组件；将一第一囊封剂沉积在该第一半导体组件的上方；形成一第一互连结构于该第一囊封剂的第一表面与第一半导体组件的上方且电连接至该第一半导体组件；将一第二半导体组件镶嵌至该第一互连结构；形成复数个第一传导柱于该第一半导体组件对面的该第一互连结构上方；将一第二囊封剂沉积在该第二半导体组件与第一互连结构的上方且于该等第一传导柱周围；以及形成一第二互连结构于该第二囊封剂的上方且电连接至该第一半导体组件以及该第二半导体组件。
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| 地址 |
新加坡 |
