| 主权项 |
一种半导体装置，包括薄膜电晶体，该薄膜电晶体包括：闸电极层；该闸电极层上的闸极绝缘层，该闸极绝缘层包括第一区、第二区及第三区；该闸极绝缘层上的源电极层及汲电极层；该源电极层上的具有n型导电性的第一导电层，该第一导电层包括第四区；该汲电极层上的具有n型导电性的第二导电层，该第二导电层包括第五区；以及该第一导电层及该第二导电层上的氧化物半导体层，其中，与该闸电极层重叠的该氧化物半导体层的一部分在该第三区上并与该第三区接触，且与该闸电极层重叠的该氧化物半导体层设置在该源电极层和该汲电极层之间；该第一导电层及该第二导电层的载子浓度高于该氧化物半导体层的载子浓度；该氧化物半导体层和该源电极层隔着该第一导电层彼此电连接；该氧化物半导体层和该汲电极层隔着该第二导电层彼此电连接；该第一区与该第四区接触；并且该第一区与该第五区接触。
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