发明名称 一种异质结光电极的制备方法和用途
摘要 本发明属于光电化学技术领域,特指一种异质结光电极的制备方法和用途,首先在FTO基片上合成双层TiO<sub>2</sub>纳米棒阵列,然后利用旋凃法在其之上均匀的旋涂一层氧化还原石墨烯,最后再使用化学沉积和光沉积的方法在氧化还原石墨/TiO<sub>2</sub>表面负载CdS@Au核-壳结构纳米粒子。利用简单的水热合成法,旋涂法,化学沉积法和光沉积法所制备的Au@CdS/RGO/TiO<sub>2</sub>异质结光电极,该材料具有良好的化学稳定性好,光电化学性能好的优点;本发明工艺简单,重复性好,且所用材料价廉易得,符合环境友好要求。<b />
申请公布号 CN105044180A 申请公布日期 2015.11.11
申请号 CN201510365442.0 申请日期 2015.06.29
申请人 江苏大学 发明人 范伟强;李春发;陈超;吴国玲;陈继斌
分类号 G01N27/30(2006.01)I 主分类号 G01N27/30(2006.01)I
代理机构 代理人
主权项 一种异质结光电极的制备方法,其特征在于:所述异质结光电极为Au@CdS/RGO/TiO<sub>2</sub>异质结光电极,首先在FTO基片上制备出双层TiO<sub>2</sub>纳米棒阵列,继而利用旋凃法在其之上均匀的旋涂一层氧化石墨烯,紧接着将其在氮气保护下煅烧形成RGO/TiO<sub>2</sub>,然后通过化学沉积在RGO/TiO<sub>2</sub>的表面均匀的沉积一层Au纳米粒子形成Au/RGO/TiO<sub>2</sub>,最后,再采用光沉积的方法合成CdS纳米粒子包裹在Au纳米粒子的周围最终形成Au@CdS/RGO/TiO<sub>2</sub>异质结光电极。
地址 212013 江苏省镇江市京口区学府路301号