| 发明名称 | 一种新型高亮PSS的制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种新型高亮PSS的制备方法，其制备方法包括以下步骤：步骤(1)首先提供一表面平整的基底；步骤(2)使用清洗剂将基底清洗干净并使用去离子水甩干；步骤(3)将清洗干净的基底进行夹心DBR膜层蒸镀；步骤(4)利用光刻技术在上述DBR层上制备出图形化的光刻胶；步骤(5)利用ICP刻蚀技术将制备出的图形化光刻胶转移至DBR层,将图形化光刻胶刻蚀刻蚀完成后，转移至DBR层的图形成周期性锥状结构；步骤(6)利用清洗剂将残留物去除；步骤(7)将上述清洗完成的图形化沉积进行AlN或GaN薄膜制备。本发明可以防止在图形制备过程中对第一层DBR产生破坏，提高芯片出光反射效率低，同时可有效降低外延中的位错密度，提高芯片出光效率。 | ||
| 申请公布号 | CN105047768A | 申请公布日期 | 2015.11.11 |
| 申请号 | CN201510297482.6 | 申请日期 | 2015.06.01 |
| 申请人 | 合肥彩虹蓝光科技有限公司 | 发明人 | 吕振兴;刘亚柱;宣圣柱;吴化胜;江娅;阮怀权;梁晖 |
| 分类号 | H01L33/00(2010.01)I;H01L33/20(2010.01)I | 主分类号 | H01L33/00(2010.01)I |
| 代理机构 | 代理人 | ||
| 主权项 | 一种新型高亮PSS的制备方法，其特征在于：其制备方法包括以下步骤：步骤(1)首先提供一表面平整的基底；步骤(2)使用清洗剂将基底清洗干净并使用去离子水甩干；步骤(3)将清洗干净的基底进行夹心DBR膜层蒸镀；步骤(4)利用光刻技术在上述DBR层上制备出图形化的光刻胶；步骤(5)利用ICP刻蚀技术将制备出的图形化光刻胶转移至DBR层,将图形化光刻胶刻蚀刻蚀完成后，转移至DBR层的图形成周期性锥状结构；步骤(6)利用清洗剂将残留物去除；步骤(7)将上述清洗完成的图形化沉积进行AlN或GaN薄膜制备。 | ||
| 地址 | 230012 安徽省合肥市新站区工业园内 | ||