| 发明名称 | 鳍式场效应晶体管结构及其制作方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种鳍式场效应晶体管结构及其制作方法。该鳍式场效应晶体管结构制作方法包括：通过光刻及刻蚀在衬底上形成初始鳍状结构；在初始鳍状结构上外延生长至少包含第一材料层和第二材料层的倒U型薄膜叠层结构；在倒U型薄膜叠层结构的外侧填充第三材料；对第三材料和倒U型薄膜叠层结构进行刻蚀，从而暴露出初始鳍状结构；进一步刻蚀第一材料层，从而暴露出由初始鳍状结构和第二材料层形成的鳍状结构。 | ||
| 申请公布号 | CN105047717A | 申请公布日期 | 2015.11.11 |
| 申请号 | CN201510375549.3 | 申请日期 | 2015.06.30 |
| 申请人 | 上海华力微电子有限公司 | 发明人 | 鲍宇 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L29/16(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人 | 智云 |
| 主权项 | 一种鳍式场效应晶体管结构制作方法，其特征在于包括：第一步骤：通过光刻及刻蚀在衬底上形成初始鳍状结构；第二步骤：在初始鳍状结构上外延生长至少包含第一材料层和第二材料层的倒U型薄膜叠层结构；第三步骤：在倒U型薄膜叠层结构的外侧填充第三材料；第四步骤：对第三材料和倒U型薄膜叠层结构进行刻蚀，从而暴露出初始鳍状结构；第五步骤：进一步刻蚀第一材料层，从而暴露出由初始鳍状结构和第二材料层形成的鳍状结构。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江开发区高斯路568号 | ||