发明名称 一种氮化物发光二极管
摘要 本发明公开一种氮化物发光二极管,通过在多量子阱发光层的两侧沉积多层的磁性材料超晶格的量子点,利用电磁效应和氮化物的压电效应产生磁-电-压效应,施加外部磁场来控制多量子阱的极化场,使氮化镓基材料量子阱中弯曲能带被拉平,获得无极化场的导带和价带平行的量子阱能带,从而提升电子和空穴在K空间中交叠和复合机率,提升发光强度和效率,降低efficiency droop。
申请公布号 CN105047771A 申请公布日期 2015.11.11
申请号 CN201510403107.5 申请日期 2015.07.10
申请人 厦门市三安光电科技有限公司 发明人 郑锦坚;李志明;寻飞林;杜伟华;邓和清;伍明跃;周启伦;林峰;李水清;康俊勇
分类号 H01L33/04(2010.01)I;H01L33/06(2010.01)I 主分类号 H01L33/04(2010.01)I
代理机构 代理人
主权项 一种氮化物发光二极管,包括衬底、n型氮化物半导体、多量子阱发光半导体层、p型氮化镓半导体层和多层磁性材料超晶格的量子点,其特征在于:在多量子阱发光层的两侧分别沉积多层磁性材料超晶格的量子点,然后利用电磁效应和氮化物的压电效应产生磁‑电‑压效应,通过控制外部磁场的方向和大小来调控氮化物多量子阱的极化场,使弯曲的能带被拉平,形成无极化的导带和价带平行的量子阱能带,从而提升电子和空穴的限制效率和复合效率,提升发光强度和效率,改善efficiency droop。
地址 361009 福建省厦门市思明区吕岭路1721-1725号