发明名称 一种MEMS压力传感器及其制造方法
摘要 本发明公开了一种MEMS压力传感器及其制造方法,在衬底上方设有与衬底形成真空腔的敏感膜层,所述敏感膜层包括位于中部的敏感部,以及位于敏感部边缘、支撑在衬底上的支撑部,其中,敏感部所在的平面低于支撑部,并通过倾斜部与支撑部连接在一起,以使敏感部、倾斜部、支撑部构成阶梯状结构。本发明的MEMS压力传感器,敏感膜层中的敏感部、倾斜部、支撑部具有阶梯状的“下沉”结构,在沉积敏感膜层的过程中,可以使其内应力得到彻底的释放;该敏感膜层的弹性系数较低,可以获得较高的灵敏度;另外,敏感部通过倾斜部与支撑部连接,可以大大降低敏感部对应力变化的敏感性,从而提高了芯片的信噪比,提升了压力传感器的性能。
申请公布号 CN105036054A 申请公布日期 2015.11.11
申请号 CN201510290371.2 申请日期 2015.05.29
申请人 歌尔声学股份有限公司 发明人 郑国光
分类号 B81B3/00(2006.01)I;B81C1/00(2006.01)I;B81C3/00(2006.01)I;G01L1/18(2006.01)I;G01L9/06(2006.01)I 主分类号 B81B3/00(2006.01)I
代理机构 北京博雅睿泉专利代理事务所(特殊普通合伙) 11442 代理人 马佑平;王昭智
主权项 一种MEMS压力传感器,其特征在于:包括衬底,以及位于衬底上方并与衬底形成真空腔(8)的敏感膜层(3),所述敏感膜层(3)包括位于中部的敏感部(3c),以及位于敏感部(3c)边缘、支撑在衬底上的支撑部(3a),其中,敏感部(3c)所在的平面低于支撑部(3a),并通过倾斜部(3b)与支撑部(3a)连接在一起,以使敏感部(3c)、倾斜部(3b)、支撑部(3a)构成阶梯状结构;在所述敏感部(3c)上设置有压敏电阻(4),所述压敏电阻(4)上设置有供信号引出的引线(6)。
地址 261031 山东省潍坊市高新技术开发区东方路268号