一种低通态损耗IGBT及其制造方法

摘要

本发明提供一种低通态损耗IGBT及其制造方法，所述IGBT包括有源区、终端区和栅极区，所述有源区包括N-衬底区、栅极氧化层、多晶硅栅极、P-基区、N+发射区、P+集电区、发射极金属及集电极金属，所述有源区为元胞区，在所述有源区中设有空元胞结构。所述空元胞结构是通过牺牲元胞局部沟道形成的，所述元胞局部沟道是通过改变耐压环层、场氧层、多晶层、接触孔层中一种或几种组合而牺牲的。本发明制造方法通过在有源区引入无效元胞，改变了有源区PIN/PNP区域分布，优化IGBT元胞的电导调制效应，降低了IGBT饱和电压，提高了IGBT电流密度，降低了IGBT通态损耗。本发明制造的IGBT芯片在大功率密度、低通态损耗应用领域具有优势。

主权项

一种低通态损耗IGBT，所述IGBT包括有源区、终端区和栅极区，所述有源区包括N‑衬底区、栅极氧化层、多晶硅栅极、P‑基区、N+发射区、P+集电区、发射极金属及集电极金属，所述有源区为元胞区，其特征在于，在所述有源区中设有空元胞结构。