| 发明名称 | 半导体ESD器件 | ||
| 摘要 | 一种半导体衬底上的静电放电(ESD)保护器件及其制造方法。所述器件具有有源区。有源区包括栅极。有源区还包括源极，源极包括具有源极触点的硅化物部分。有源区还包括漏极，漏极包括具有漏极触点的硅化物部分。源极和漏极各自沿着器件轴远离栅极延伸。漏极触点沿与器件轴正交的方向相对于源极触点横向偏移，由此源极触点和漏极触点之间的电流具有横向分量。器件还包括横向位于漏极触点和源极触点之间的非硅化物区。 | ||
| 申请公布号 | CN105047662A | 申请公布日期 | 2015.11.11 |
| 申请号 | CN201510202418.5 | 申请日期 | 2015.04.24 |
| 申请人 | 恩智浦有限公司 | 发明人 | 多尔芬·阿贝索卢比责;巴特·范维尔岑 |
| 分类号 | H01L27/02(2006.01)I;H01L29/417(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 王波波 |
| 主权项 | 一种半导体衬底上的静电放电(ESD)保护器件，所述器件具有有源区，所述有源区包括：栅极；源极，包括具有源极触点的硅化物部分；以及漏极，包括具有漏极触点的硅化物部分，其中源极和漏极各自沿着器件轴远离栅极延伸，其中漏极触点沿与器件轴正交的方向相对于源极触点横向偏移，由此源极触点和漏极触点之间的电流具有横向分量，以及其中所述器件还包括横向位于漏极触点和源极触点之间的非硅化物区。 | ||
| 地址 | 荷兰艾恩德霍芬 | ||