发明名称 极紫外光源
摘要 描述了使用来自靶材料的反馈来增强极紫外光源的功率的技术,该靶材料在进入目标位置之前已被修改为空间延伸的靶分布或者膨胀的靶。因为反馈发生在其之上的路径的几何学(诸如往返长度和方向)可以随时间改变,或者空间延伸的靶分布的形状可能不提供足够光滑的反射,所以来自空间延伸的靶分布的反馈提供非谐振光学腔。然而,可能的是,如果上面提到的几何和物理约束被克服,则来自空间延伸的靶分布的反馈提供谐振的并且相干的光学腔。在任何情形下,反馈可以使用从非振荡器增益介质产生的自发发射的光来生成。
申请公布号 CN105052246A 申请公布日期 2015.11.11
申请号 CN201480014562.X 申请日期 2014.02.25
申请人 ASML荷兰有限公司 发明人 陶业争;R·J·拉法克;I·V·福缅科夫;D·J·W·布朗
分类号 H05G2/00(2006.01)I 主分类号 H05G2/00(2006.01)I
代理机构 北京市金杜律师事务所 11256 代理人 王茂华
主权项 一种方法,包括:朝向目标区域释放靶材料滴流,所述流中的所述滴沿着从靶材料供应系统到所述目标区域的轨迹行进;在第一滴处于所述靶材料供应装置和所述目标区域之间的同时,通过将第一光脉冲沿着朝向第一靶材料滴的传播方向引导,产生空间延伸的靶分布,所述第一光脉冲对所述第一靶材料滴的冲击增加了所述第一靶材料滴在面向所述传播方向的平面内的横截面直径,并且减少了所述第一靶材料滴沿着平行于所述传播方向的方向的厚度;定位光学元件以建立与目标位置相交的光束路径;将增益介质耦合到所述光束路径;以及通过从所述空间延伸的靶分布散射从所述增益介质发射的光子,产生与所述空间延伸的靶分布相互作用以产生等离子体的放大光束,所述等离子体生成极紫外(EUV)光,被散射的所述光子中的至少一些光子被放置在所述光束路径上以产生所述放大光束。
地址 荷兰维德霍温