氮化镓基低漏电流固支梁的开关电容滤波器及制备方法

摘要

本发明是一种氮化镓基低漏电流固支梁的开关电容滤波器及制备方法，该滤波器及由N型MESFET开关、运算放大器和电容器组成，整个结构是基于半绝缘型GaN衬底制作的，该N型MESFET具有悬浮在栅极上方的固支梁，该固支梁由Au材料制作的，固支梁下方设有两个下拉电极，下拉电极接地，其上覆盖一层氮化硅介质层，两个N型MESFET的阈值电压设计为相等，而固支梁的下拉电压设计为与N型MESFET的阈值电压相等。时钟信号经过高频扼流圈L加载到N型MESFET的固支梁上，整个滤波器的性能仅取决于电容C1、C2的比值和时钟频率fc，这种结构的开关电容滤波器可以降低栅极漏电流，并降低部分功耗。

主权项

一种氮化镓基低漏电流固支梁的开关电容滤波器，其特征在于该滤波器制作在半绝缘型GaN衬底(1)上，包括N沟道MESFET、电容器和运算放大器，在半绝缘型GaN衬底(1)上有两个N沟道MESFET，N沟道MESFET由源极、漏极、栅极和沟道组成；这两个N沟道MESFET具有悬浮的固支梁(4)，它们通过锚区(2)横跨在栅极(10)上方，与栅极(10)之间有一层间隙，固支梁(4)由Au材料制作的，在固支梁(4)下方设有两个下拉电极(5)，下拉电极(5)是接地的，其上还覆盖有氮化硅介质层(6)，这两个N沟道MESFET与电容C1、C2和运算放大器共同构成开关电容滤波器，具有低漏电流、低直流功耗的特点。