热协助介电电荷捕捉快闪记忆体

主权项

一种记忆体，包括：多数个记忆胞之一阵列，包含复数个字元线和复数个位元线，该阵列中之该些记忆胞具有复数个介电电荷捕捉结构，每一介电电荷捕捉结构包含一穿隧层、一电荷捕捉层及一阻挡层，其中该穿隧层包含一厚度少于2nm之第一层、一厚度少于3nm之第二层以及一厚度少于4nm之第三层，该第一层为氧化矽或氮氧化矽，该第二层为氮化矽，该第三层包括氧化矽或氮氧化矽；一控制电路，耦合至该阵列安排用以控制读取、程式化和抹除操作；以及一手段，系耦合至该阵列，用以热退火在该阵列中之该些记忆胞中之该些介电电荷捕捉结构。