半导体装置及其制造方法

主权项

一种半导体装置，包含：闸极电极，其在绝缘表面上；闸极绝缘膜，其在该闸极电极上；氧化物半导体膜，其在该闸极绝缘膜上，该氧化物半导体膜与该闸极电极重叠；一对金属氧化物膜，其在该氧化物半导体膜上；以及源极电极和汲极电极，其在该对金属氧化物膜上，其中该氧化物半导体膜包含与该源极电极重叠的第一部分、与该汲极电极重叠的第二部分、及在该第一部分和该第二部分之间的第三部分，其中该氧化物半导体膜的该第一部分和该第二部分的每一个包含该氧化物半导体膜中之一或复数个金属的浓度高于该氧化物半导体膜的该第三部分中之一或复数个金属的浓度之区域在该对金属氧化物膜侧上，以及其中该对金属氧化物膜、该源极电极和该汲极电极包含相同金属材料。